目前主流手机的运行内存基本上都是LPDDR4（带宽17-25.6GB/s），以及过渡时期的LPDDR4X（带宽34GB/s），存储闪存为EMMC5.1和UFS2.1。然而随着5G网络的普及，对手机性能需求越来越高，LPDDR5运存（带宽51.2GB/s）和UFS 3.0闪存即将到来。
LPDDR4标准发布于2014年8月份了，标准名为“JESD209-4”，电压相比LPDDR3的1.2V降低至1.1V；而在LPDDR5未到来的过渡时期，宏旺半导体ICMAX推出的LPDDR4X内存技术上跟LPDDR4内存相同，只不过电压可低至0.6V（LPDDR4X Vddq电压从1.1V降至0.6V，Vdd2电压保持1.1V不变），进一步降低了功耗，降幅可达40%。
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补充说明下：以ICMAX的技术为例，该公司的LPDDR4内存可以运行于2133MHz的频率，在2 x 16bit的双通道配置下，数据传输速率可达到4266 MT/s。ICMAX在这里解释一下，MT/s意思是megatransfers/s，也就是说MT/s（每秒兆比特）中文解释为百万次/秒，由于HT总线是双向传输，所以换算成我们平时所熟悉的MHz需要除以2。
LPDDR5、UFS3.0
对比目前比较牛叉的LPDDR4X 2133MHz（双通道，即为最强的4266MT/s的频率），LPDDR5 速度上从LPDDR4X 4266MT/s提升到了6400MT/s，此外，LPDDR5内存芯片相较LPDDR4X，功耗还减少了30%。手机端的LPDDR5 3200MHz（6400MT/s）显然是比PC端强很多，要知道主流PC端大多数机器基本上还停留在DRR3 1866MHz、和DDR4 2400MHz，现在的智能手机价格也不比电脑便宜多少啊。
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而UFS3.0的标准规范，为单通道带宽提升到11.6Gbps，理论最大速度约2.9GB/s，相较于目前旗舰机普遍采用的UFS 2.1直接翻番。此外，UFS 3.0使用2.5V VCC电压降低功耗，支持最新NAND Flash技术；温度范围也从-25至85℃扩展为- 40度至105℃，若在手机上实现商用，便可避免在极高、低温环境下，手机停止工作的情况。
说明下，ICMAX LPDDR4X最新的技术已经可以实现单颗8GB运存的支持了，在运行内存方面，从电压来看，LPDDR5；因此LPDDR4X比LPDDR4更省电，发热低，LPDDR4比LPDDR3更省电，发热低。在存储空方面，UFS3.0>UFS2.1>UFS2.0>EMMC5.1>EMMC5.0>EMMC4.5，其中EMMC5.1使用比例占多数，在电子产品中是主流。
目前受成本限制，像骁龙600和700系列都是使用EMMC5.1存储，只有800系列才用UFS存储，当然也有例外，有些骁龙670、710也会搭配使用UFS2.1存储。今年底高通将发布骁龙865处理器，将支持UFS 3.0闪存及LPDDR5X内存，商用时代即将到来。